به گزارش سرویس علمی فرهنگی روزنامه همشهری این ترانزیستور از سیلیکون و ژرمانیوم تولید شده و سرعت آن 500 گیگاهرتز است.
این سرعت 100 برابر سریعتر از ترانزیستورهای مورد استفاده در تراشه های رایانه ای و 250 برابر سریعتر از ترانزیستورهای موجود در تراشه های تلفن های همراه است.
البته سرعت500 گیگاهرتز تنها در شرایط آزمایشگاهی و در دمای نزدیک به صفر مطلق حاصل شده و سرعت این ترانزیستور در دماهای معمولی 300 گیگاهرتز است.
ترانزیستور جدید آی بی ام در تراشه های معمولی قابل استفاده نیست و در مواردی خاص نظیر شبکه های رایانه ای فوق سریع کاربرد خواهد داشت.
ترانزیستورها اجزای اصلی پردازنده های مورد استفاده در همه انواع تجهیزات رایانه ای، از ابررایانه های عظیم گرفته تا ام پی تری پلیرهای کوچک، محسوب می شوند.
